Dissertation (Metadaten)
Titel:Passivierung und Charakterisierung von Defekten in Siliziumsolarzellen
 
Autor:Mohammad Hejjo Al Rifai
 
URN:NBN:urn:nbn:de:gbv:8-diss-9654
 
Fakultät:Technische Fakultät
DDC Sachgebiet:620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
 
Datum der mdl. Prüfung:19.12.2003
 
Referent(in):Prof. Dr. Helmut Föll
Korreferent(en) Korreferentin:Prof. Dr. Peter Seegebrecht
 
Beschreibung:In dieser Arbeit wurden chemische und elektrochemische Reaktionen zum Oxidieren und Ätzen von Silizium untersucht um Möglichkeiten zu finden, definierte Bereiche auf Solar-zellen (SZ)zu bearbeiten. Hier standen zwei Fragen bezüglich der Effizienz von SZn im Fordergrund: 1- wie und warum die inhomogene Verteilung von Defekten in multikris. Si-SZn den Wirkungsgrad reduziert; 2- wie Rand-"Shunts" effektiv passiviert werden können. Für die erste Frage wurden schlechte Bereiche auf multikris. Si-SZn durch Einbringen einer Trennfuge vom Rest der SZ separiert. Durch die Abtrennung von solchen Bereichen auf einer multkris.Si-SZ wurde der relative Wirkungsgrad um etwa 35% verbessert. Für die zweite Frage, wurde eine einfache, effektive und billige Passivierungsmethode für die Rand-"Shunts" in Si-SZn entwickelt. Die Methode kann entweder präventiv oder selektiv benutzt werden. Selektiv heißt sowohl für fertige schlechte SZn (z.B. niedrige Rsh)als auch für solche, die ein ohmsches Temperaturverhalten des Leckstroms zeigen. Durch diese Arbeit konnte das Verst-ändnis um die Physik der SZn erweitert werden.
 
Schlagworte:Solarzelle ; Silicium ; Polykristall ; Gitterbaufehler ; Passivierung ; Wirkungsgrad , Temperaturabhängigkeit des Leckstroms, Passivierung von Defekten, Shunts, Zweidiodenmodell, Leckstrom
 
Dokumente:
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