Chromtelluride : Dünnfilm versus "Bulk" - David gegen Goliath?

Ein Bestandteil der Arbeit ist die Entwicklung und der Aufbau einer UHV-Bedampfungsanlage zur Präparation dünner Filme. In der Anlage können gleichzeitig drei verschiedene Metalle und zwei Chalkogene verdampft und auf geheizte oder gekühlte Substrate deponiert werden. Es wurden Chrom-Tellur-Schichten unterschiedlichster Komplexität abgeschieden. Dabei variierten die Schichtdicken von einigen bis zu mehreren tausend Angström und die Anzahl der Schichten von einer bis zu 653. Zur Charakterisierung der as-deposited Filme wurden folgende analytische Methoden eingesetzt: Transmissions-Elektronen-Mikroskopie, Raster-Elektronen-Mikroskopie, Energiedispersive Röntgenfluoreszenz Analyse, Raster-Kraft-Mikroskopie, Reflektometrie und Pulverdiffraktometrie. Im System Chrom-Tellur wurde eine kritische Schichtdicke für die Ausbildung einer amorphen Zwischenphase im Bereich zwischen 26 und 49 Angström gefunden. Für die Untersuchung der Reaktivität der Filme wurden Multischichten mit Zusammensetzungen zwischen 50 und 88 at% Te getempert und dabei wurde die Produktbildung mit ex- bzw. in-situ Röntgenbeugung verfolgt. Je nach Zusammensetzung und Schichtdicken wurden die Chromtelluride CrTe3, Cr2Te3 und Cr3Te4 gebildet. Die Verbindungen bilden sich bei sehr viel niedrigeren Temperaturen als bei der Volumensynthese. Dabei wachsen die Kristallite von CrTe3 und Cr2Te3 hochtexturiert. Die Hochtemperatursynthese und Charakterisierung von nichtstöchiometrischen Chromtelluriden mit Zusammensetzungen zwischen 61,45 und 62,41 at% Te (monoklines Cr5Te8 und trigonales Cr5Te8) stellt einen weiteren Teil der Arbeit dar. An den Substanzen wurden Leitfähigkeits-, Sättigungsmagnetisierungs-, Suszeptibilitäts- sowie Röntgen- und Neutronenbeugungsuntersuchungen durchgeführt.

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