@PhdThesis{diss_mods_00001607,
  author = 	{Frey, Stefan},
  title = 	{Novel formation regimes and mechanisms for macropores and porous anodic oxides in silicon},
  year = 	{2006},
  publisher = 	{Christian-Albrechts-Universit{\"a}t zu Kiel},
  address = 	{Kiel},
  keywords = 	{Semiconductor; Electrochemistry; porous material; porous oxide; Silicone; Porosit{\"a}t; Halbleiter; Elektrochemie; por{\"o}ses Material; por{\"o}ses Oxid},
  abstract = 	{In der vorliegenden Arbeit wurde die elektrochemische Porenbildung in Silizium und Siliziumoxid untersucht. Im ersten Teil der Arbeit ging es um die Untersuchung von Makro und Mesoporen in n-Typ Silizium, die sich in fluoridhaltigen Elektrolyten bei Anlegen einer anodischen Spannung bilden. Es wurde ein neuer Makroporenporenwachstumsmodus gefunden, der es erlaubt, Makroporen mit einem Vielfachen der bisherigen Geschwindigkeit herzustellen. Hierbei unterscheidet sich die Porenqualit{\"a}t und -geometrie nicht wesentlich von den guten Ergebnissen bei den deutlich langsameren, konventionellen {\"A}tzverfahren. Um diese Poren zu erhalten muss ein schwach oxidierender Elektrolyt mit hohen Flusss{\"a}urekonzentrationen kombiniert werden. Das Parameterfeld f{\"u}r diese Porensorte wurde eingehend untersucht und ein Erkl{\"a}rungsmodell f{\"u}r dieses Wachstumsverhaltens erstellt. In weiteren Teilen wurde die Parameterabh{\"a}ngigkeit der Geometrie von Mesoporen untersucht. Im zweiten Abschnitt der Arbeit werden por{\"o}se Siliziumoxide untersucht, die sich bei hohen anodischen Spannungen bilden. Andere elektrochemisch hergestellte por{\"o}se Oxidsysteme, z.B. Aluminiumoxid, haben eine gro{\ss}e Anwendungsbandbreite, w{\"a}hrend elektrochemisch hergestellte por{\"o}se Oxidmodifikationen in Silizium nur wenig untersucht sind. F{\"u}r die Versuche dieser Arbeit wurden schwach basisch gepufferte, fluorhaltige Elektrolyte verwendet mit niedriger Oxidaufl{\"o}sungsrate. Die Kennlinie in der zyklischen Voltammetrie weist f{\"u}r diese Elektrolyten eine ungew{\"o}hnlich starke Hysterese zwischen Vor- und R{\"u}cklauf auf, die mit elektrischer Impedanzspektroskopie untersucht wurde. Bei l{\"a}ngeren potentiostatischen Versuchen zwischen 10 und 16 V w{\"a}chst ein d{\"u}nner por{\"o}ser SiO2-Film auf der Siliziumoberfl{\"a}che. Bei h{\"o}heren Spannungen bilden sich regelm{\"a}{\ss}ige Oberfl{\"a}chenkorrugationen, die mit einem d{\"u}nnen por{\"o}sen SiO2-Film bedeckt sind. Diese beiden unterschiedlichen Morphologien wurden mit einem Rasterelektronenmikroskop untersucht. Sowohl zu den unterschiedlichen Morphologien als auch zur starken Hysterese der Kennlinie wurde in der vorliegenden Arbeit ein Erkl{\"a}rungsmodell erarbeitet.},
  url = 	{https://macau.uni-kiel.de/receive/diss_mods_00001607},
  file = 	{:https://macau.uni-kiel.de/servlets/MCRFileNodeServlet/dissertation_derivate_00001607/d1607.pdf:PDF},
  language = 	{en}
}