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Article / Chapter
2016

Gate driver for the active thermal control of a DC/DC GaN-based converter

Wide-Band-Gap power semiconductors based on SiC and GaN offer some significant advantages compared to Si-devices, in particular higher switching speed and higher operating temperature. These features offer potentially increased power density, which makes the temperature management critical especially...
Milwaukee, WI, USA: IEEE, 2016
Dissertation

Bauleistungsvergleich und Neutralpunkt-Balancierung für 3-Level-Wechselrichtertopologien...

In elektrisch angetriebenen Fahrzeugen mit einer Batterie als Energiespeicher und einem Drehstrommotor wird Leistungselektronik zur Wandlung der Batteriegleichspannung in eine entsprechende Wechselspannung benötigt. Hierzu ist mindestens ein Wechselrichter notwendig, der im motorischen Betrieb die geforderte...