Untersuchungen zur lokalen Struktur von Ge-Sb-Te-basierten Phasenwechselverbindungen und Einfluss der chemischen Substitution auf die opto-elektronischen Eigenschaften

Tomforde, Jan

Im Rahmen dieser Dissertation wurden Strukturuntersuchungen an den Ge-Sb-Te- basierten Phasenwechsellegierungen durchgeführt, um ein atomares Verständnis des bisher nicht vollständig verstandenen Schreib- und Löschvorgangs zu erhalten. Bei allen Phasenwechselverbindungen wird angenommen, dass im metastabilen kristallinen Zustand die NaCl-Struktur gebildet wird. Vor diesem Hintergrund wurden Röntgenbeugungsmessungen und hochauflösende Analysen mit Transmissionselektronenmikroskopie durchgeführt, um detaillierte Informationen über die kristallinen Strukturen zu gewinnen. Ergänzt wurden diese Analysen durch lokale Methoden (EXAFS, PDF), um den Einfluss der Leerstellenkonzentration auf den Umschaltvorgang herausarbeiten zu können. Zusätzlich wurden die elektrische Leitfähigkeit, die Ladungsträgerkonzentration, Ladungsträgerbeweglichkeit und der Seebeck-Koeffizient der Verbindungen bestimmt, um das Potential von Phasenwechsellegierungen als Thermoelektrika auszuloten. Durch die (teilweise) Substitution einzelner Elemente in den Phasenwechselverbindungen konnte ein besseres Verständnis der Zusammenhänge zwischen Stöchiometrie, Struktur und physikalisch-chemischen Eigenschaften erarbeitet werden.Im Rahmen dieser Arbeit wird der Einfluss der partiellen Substitution von Te durch Se in Ge2Sb2Te5 und GeSb2Te4 sowie die vollständige Substitution von Sb durch Bi in Ge2Sb2Te5 auf die strukturellen und opto-elektronischen Eigenschaften hin untersucht.

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Tomforde, Jan: Untersuchungen zur lokalen Struktur von Ge-Sb-Te-basierten Phasenwechselverbindungen und Einfluss der chemischen Substitution auf die opto-elektronischen Eigenschaften. 2008.

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