Passivierung und Charakterisierung von Defekten in Siliziumsolarzellen

Hejjo Al Rifai, Mohammad

In dieser Arbeit wurden chemische und elektrochemische Reaktionen zum Oxidieren und Ätzen von Silizium untersucht um Möglichkeiten zu finden, definierte Bereiche auf Solar-zellen (SZ)zu bearbeiten. Hier standen zwei Fragen bezüglich der Effizienz von SZn im Fordergrund: 1- wie und warum die inhomogene Verteilung von Defekten in multikris. Si-SZn den Wirkungsgrad reduziert; 2- wie Rand-"Shunts" effektiv passiviert werden können. Für die erste Frage wurden schlechte Bereiche auf multikris. Si-SZn durch Einbringen einer Trennfuge vom Rest der SZ separiert. Durch die Abtrennung von solchen Bereichen auf einer multkris.Si-SZ wurde der relative Wirkungsgrad um etwa 35% verbessert. Für die zweite Frage, wurde eine einfache, effektive und billige Passivierungsmethode für die Rand-"Shunts" in Si-SZn entwickelt. Die Methode kann entweder präventiv oder selektiv benutzt werden. Selektiv heißt sowohl für fertige schlechte SZn (z.B. niedrige Rsh)als auch für solche, die ein ohmsches Temperaturverhalten des Leckstroms zeigen. Durch diese Arbeit konnte das Verst-ändnis um die Physik der SZn erweitert werden.

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Hejjo Al Rifai, Mohammad: Passivierung und Charakterisierung von Defekten in Siliziumsolarzellen. 2003.

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