Solvothermale Synthese neuer Indium- und Germaniumchalcogenide

Ziel der Arbeit war es, neue Indium- und Germaniumchalcogenide auf solvothermalem Weg darzustellen und zu charakterisieren. Hierzu wurden sowohl oxidische wie sulfidische Systeme untersucht. In den oxidischen Systemen sollte durch die Kombination des flexiblen Koordinationsverhaltens von Germanium mit dem von Indium die strukturelle Vielfalt poröser Materialien erhöht werden. In den sulfidischen Systemen sollte durch die Kondensation von MS4-Tetraedern (M = In, Ge) zu größeren Baueinheiten geklärt werden, ob sich Indium und Germanium in derartigen Verbindungen zu größeren Baueinheiten kombinieren lassen. Des weiteren wurde in weiteren Syntheseversuchen untersucht, ob sich das Übergangsmetall Vanadium in In/Ge-Chalcogenide einbauen läßt. Insgesamt konnten 8 neue Verbindungen dargestellt und identifiziert werden, zwei In-O-Ge-Phasen, eine In-S-Ge-, zwei Ge-O-V-, eine In-O-V- und zwei V-O-Ge-S-Phasen. Die anionischen Teilstrukturen bestehen entweder aus dreidimensionalen Netzwerken oder aus isolierten Clustern bei den vanadiumhaltigen Verbindungen. Die in der Arbeit vorgestellten Verbindungen wurden mit Hilfe der Einkristallstrukturanalyse, der EDX-Analyse und mit Pulverdiffraktometrie charakterisiert. Die thermischen und optischen Eigenschaften der Verbindungen, die in großen Ausbeuten zugänglich sind, wurden zusätzlich mit DTA/TG- und DTA/TG/MS-Experimenten und mit Hilfe der IR-Spektroskopie untersucht.

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